[发明专利]一种集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及硅半导体技术领域。本发明的集成电路，包括被沟槽绝缘体侧面绝缘的双面双栅极硅晶体管，相对于现有技术，可以降低晶体管的漏电流以及栅极与源极、漏极之间的耦合电容，提高晶体管的性能，进而提高整个集成电路的性能。本发明的集成电路制造方法，用于制造上述集成电路，制得的集成电路同样具有上述优点。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括第一硅半导体衬底、位于所述第一硅半导体衬底上的至少一个双面双栅极硅晶体管与至少一个导电互连组件、以及嵌入所述第一硅半导体衬底内的将所述双面双栅极硅晶体管的侧面绝缘的多个沟槽绝缘体；其中，所述双面双栅极硅晶体管包括：位于所述第一硅半导体衬底的第一表面上的第一栅极介电层和位于所述第一栅极介电层之上的第一栅极，位于所述第一硅半导体衬底内的源极和漏极，位于所述第一硅半导体衬底的第二表面上的第二栅极介电层、位于所述第二栅极介电层之上的第二栅极以及位于所述第二栅极介电层和所述第二栅极两侧的第二栅极侧壁；所述导电互连组件包括：穿过所述沟槽绝缘体与位于所述第一硅半导体衬底的第一表面上的所述第一栅极相连的含硅通孔连接柱，位于所述第一硅半导体衬底的第二表面上的连接所述源极的源极连接端子和连接所述漏极的漏极连接端子，位于所述第一硅半导体衬底的第二表面上的连接所述第二栅极的第二栅极连接端子，位于所述第一硅半导体衬底的第二表面上的通过所述含硅通孔连接柱连接所述第一栅极的第一栅极连接端子，以及位于所述第一硅半导体衬底的第二表面之上的至少与所述第一栅极连接端子、所述第二栅极连接端子、所述源极连接端子以及所述漏极连接端子其中之一相连接的多个水平互连线。