[发明专利]一种运动传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201310743292.3 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104743501A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;许继辉;于佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种运动传感器的制备方法，提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。在本发明所述方法在在填充过程中不会形成孔洞，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 运动 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种运动传感器的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。
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