[发明专利]一种Ga掺杂ZnO织构热电材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310743440.1 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103708820A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 张波萍;张代兵;张雨桥;陈茜 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种Ga掺杂ZnO织构热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。其特征是:以乙酸锌和硝酸镓为原料,按照化学通式Zn1-xGaxO(0.001≤x≤0.5mol)配置,三乙醇胺作为表面活性剂,去离子水为溶剂,pH值为7.0~9.0,在120~240℃水热反应4~80h,制备了由10~800nm纳米颗粒自组装而成的直径为1~10μm的纳微复合球状粉体,再通过放电等离子烧结技术,在压力30~200MPa,温度为850~1400℃下,保温烧结1~30min,制备得到织构度为10~55%Ga掺杂ZnO块体材料,晶粒尺寸为100~900nm。该方法能够简单、快捷地制备同时具有纳米和织构结构特征的Ga掺杂ZnO块体材料,在提高载流子迁移率的同时降低热导率,使热电性能得到提高。
搜索关键词: 一种 ga 掺杂 zno 热电 材料 制备 方法
【主权项】:
一种Ga掺杂ZnO织构热电材料的制备方法,其特征是:先制备得到由10~800nm纳米颗粒自组装而成的直径为1~10μm的纳微复合球状粉体,纳米颗粒的(00l)轴沿微米球的直径方向呈放射形排列;再采用放电等离子烧结技术,在压力30~200MPa,温度为850~1400℃下烧结,保温1~30min,制备得到织构度为10~55%Ga掺杂ZnO块体材料,晶粒尺寸为100~900nm;该种同时具有纳米和织构结构特征的Ga掺杂ZnO块体材料呈现优异的热电性能。
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