[发明专利]一种纳米碳质材料薄膜图案化的方法和设备有效
| 申请号： | 201310743905.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752156B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 祝晓钊 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的纳米碳质材料薄膜图案化的方法，所述纳米碳质材料薄膜的待刻蚀区域在紫外光线照射下，生成活性碳原子和臭氧，臭氧分解出活性氧。具有强氧化作用的活性氧与活性碳碳原子反应，在短时间内生成挥发性的一氧化碳或二氧化碳气体，从而实现所述纳米碳质材料待刻蚀区域的刻蚀。同时，本发明所述的一种纳米碳质材料薄膜图案的设备，包括工作腔、设置在工作腔内的紫外光源和操作台；不但结构简单，而且在所述纳米碳质材料薄膜图案化的过程中安全易操作，不会产生污染，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米碳质材料 薄膜图案 刻蚀区域 工作腔 活性氧 二氧化碳气体 操作台 方法和设备 活性碳原子 强氧化作用 臭氧分解 紫外光线 紫外光源 挥发性 一氧化碳 活性碳 碳原子 臭氧 刻蚀 薄膜 照射 污染 应用 安全 | ||
【主权项】：
1.一种纳米碳质材料薄膜图案化的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在待刻蚀纳米碳质材料薄膜上设置光罩；S2、采用紫外光线透过光罩照射在待刻蚀纳米碳质材料薄膜上，得到纳米碳质材料薄膜图案；所述步骤S2在有氧环境或臭氧环境中完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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