[发明专利]圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法

摘要

圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，它涉及一种抗过载结构微压传感器的制造方法。本发明为了解决现有的方法得到应力匀散结构具有加工复杂的技术问题。本方法如下：一、一次氧化；二、注硼；三、光刻；四、刻蚀高掺杂硅；五、二次氧化；六、正面光刻；七、正面干法刻蚀；八、蒸铝；九、背面光刻；十、背面干法刻蚀；十一、静电封接；十二、分离。本发明采用交替刻蚀、钝化的干法刻蚀工艺，在应力集中的角区制作出圆弧结构，降低角区应力。该方法具有节省图形面积、加工简单、传感器量程容易调整、可以加工任意形状膜的特点。本发明属于抗过载微压传感器的制造领域。

主权项

圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下：一、将SOI晶片放入氧化炉进行氧化，在SOI晶片表面形成氧化层；二、将经过步骤一处理的SOI晶片放入离子注入机，在SOI晶片的一面注入浓度为2×1020cm‑3，能量为80kev的浓硼；三、光刻：在SOI晶片注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；四、刻蚀高掺杂硅：采用刻蚀机对经过步骤三处理的SOI晶片注入浓硼的一面进行刻蚀；五、二次氧化：将经过步骤五处理的SOI晶片放入氧化炉进行氧化；六、正面光刻：将SOI晶片未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；七、正面干法刻蚀：采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为300sccm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的SOI晶片注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去SOI晶片未注入浓硼的一面的氧化层；八、蒸铝：使用蒸发台在SOI晶片未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；九、背面光刻：将光刻胶涂在SOI晶片注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在SOI晶片未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；十、背面干法刻蚀：采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF6流量为400sccm、C4F8流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的SOI晶片未注入浓硼的一面；十一、静电封接：采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的SOI晶片在键合温度为360℃、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片；十二、分离：将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。