[发明专利]经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器和CMOS半导体器件

摘要

本发明公开了一种经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器和CMOS半导体器件。该反相器包括分别包含源极、漏极和栅极的PMOS晶体管和NMOS晶体管，分别包围PMOS晶体管和NMOS晶体管的N⁺隔离环和P⁺隔离环，PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的栅极连通形成反相器的输入端，PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极连通形成反相器的输出端，PMOS晶体管的源极形成反相器的高电位端，NMOS晶体管的源极形成反相器的低电位端。该反相器中，形成在NMOS晶体管的铝栅电极层下方的场氧化物层的厚度与NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。利用薄栅氧化层抗总剂量辐射能力强的特点，将NMOS晶体管薄栅氧化层延伸到P⁺隔离环上，阻断了在大剂量辐射情况下形成的NMOS晶体管源漏间的导电通路，提高了反相器抗总剂量辐射的能力。

主权项

一种经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器，包括分别包含源极、漏极和栅极的PMOS晶体管和NMOS晶体管，分别包围所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的N⁺隔离环和P⁺隔离环，所述PMOS晶体管的栅极和所述NMOS晶体管的栅极连通形成反相器的输入端，所述PMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的漏极连通形成反相器的输出端，所述PMOS晶体管的源极形成反相器的高电位端，所述NMOS晶体管的源极形成反相器的低电位端，其特征在于，形成在NMOS晶体管的铝栅电极层下方的场氧化层的厚度与所述NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。