[发明专利]形成互连结构的方法有效
申请号: | 201310745769.1 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752326B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 张海洋;任佳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种形成互连结构的方法,包括:提供衬底,衬底表面形成有层间介质层、硬掩模层以及底部抗反射层;图形化底部抗反射层以形成开口;对开口通入反应气体以在开口的侧壁形成聚合物层;以聚合物层和底部抗反射层为掩模以去除部分硬掩模层;以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模,对层间介质层进行刻蚀,以形成接触孔。本发明的有益效果在于,通过形成聚合物层以抵消相对于光刻胶层中的开口尺寸,在底部抗反射层以及硬掩模层中形成的开口的尺寸变大的部分,以形成尺寸较为精确的开口,进而尽量保证在层间介质层中形成的开口或者沟槽的尺寸与预定值接近,以避免发生相邻的开口或者沟槽之间连通的现象,从而减小形成的插塞或者线路发生短路的几率。 | ||
搜索关键词: | 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成互连结构的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底表面形成有层间介质层;在所述层间介质层上形成硬掩模层,所述硬掩模层的材料为氮化钛;在所述硬掩模层上形成底部抗反射层;图形化所述底部抗反射层,形成位于底部抗反射层中的开口;对所述开口通入反应气体,以在所述开口的侧壁形成聚合物层;以所述聚合物层和所述底部抗反射层为掩模去除部分硬掩模层;以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模,对所述层间介质层进行刻蚀,以在层间介质层中形成接触孔;其中,去除部分硬掩模层的步骤包括以下分步骤:对所述硬掩模层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀的刻蚀剂中包括氯气、氢气以及甲烷;对剩余硬掩模层进行第二刻蚀,所述第二刻蚀的刻蚀剂中包括氯气、甲烷以及四氯化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造