[发明专利]形成互连结构的方法有效

专利信息
申请号: 201310745769.1 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN104752326B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 张海洋;任佳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种形成互连结构的方法,包括:提供衬底,衬底表面形成有层间介质层、硬掩模层以及底部抗反射层;图形化底部抗反射层以形成开口;对开口通入反应气体以在开口的侧壁形成聚合物层;以聚合物层和底部抗反射层为掩模以去除部分硬掩模层;以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模,对层间介质层进行刻蚀,以形成接触孔。本发明的有益效果在于,通过形成聚合物层以抵消相对于光刻胶层中的开口尺寸,在底部抗反射层以及硬掩模层中形成的开口的尺寸变大的部分,以形成尺寸较为精确的开口,进而尽量保证在层间介质层中形成的开口或者沟槽的尺寸与预定值接近,以避免发生相邻的开口或者沟槽之间连通的现象,从而减小形成的插塞或者线路发生短路的几率。
搜索关键词: 形成 互连 结构 方法
【主权项】:
1.一种形成互连结构的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底表面形成有层间介质层;在所述层间介质层上形成硬掩模层,所述硬掩模层的材料为氮化钛;在所述硬掩模层上形成底部抗反射层;图形化所述底部抗反射层,形成位于底部抗反射层中的开口;对所述开口通入反应气体,以在所述开口的侧壁形成聚合物层;以所述聚合物层和所述底部抗反射层为掩模去除部分硬掩模层;以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模,对所述层间介质层进行刻蚀,以在层间介质层中形成接触孔;其中,去除部分硬掩模层的步骤包括以下分步骤:对所述硬掩模层进行第一刻蚀,所述第一刻蚀的刻蚀剂中包括氯气、氢气以及甲烷;对剩余硬掩模层进行第二刻蚀,所述第二刻蚀的刻蚀剂中包括氯气、甲烷以及四氯化硅。
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