[发明专利]表征晶背缺陷的方法在审
| 申请号： | 201310745789.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752252A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘孜谦;谭孝林;高燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种表征晶背缺陷的方法，包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆正面和晶圆背面，晶圆背面具有晶背缺陷；提供终端，在终端建立第一坐标系和第二坐标系，第一坐标系和第二坐标系为同一坐标系；将晶圆正面的芯片分布图输入终端并显示在第一坐标系中形成芯片地图；获取晶背图片，并将晶背图片显示在第二坐标系中；在晶背图片对应晶背缺陷的位置形成缺陷标记，终端记录缺陷标记在第二坐标系中的坐标；根据缺陷标记的坐标，在第一坐标系的芯片地图上标记缺陷芯片，缺陷芯片与晶背缺陷对准。在封装过程，根据缺陷芯片位置避开晶背缺陷，降低晶圆破裂的风险。并且，将切割得到的缺陷芯片舍弃掉而避免造成极大浪费，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 表征 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种表征晶背缺陷的方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括晶圆正面和晶圆背面，所述晶圆背面具有晶背缺陷；提供终端，在所述终端建立第一坐标系和第二坐标系，所述第一坐标系和第二坐标系为同一坐标系；将所述晶圆正面的芯片分布图输入终端并显示在第一坐标系中形成芯片地图；获取晶背图片，并将所述晶背图片显示在第二坐标系中；在所述晶背图片对应晶背缺陷的位置形成缺陷标记，终端记录所述缺陷标记在第二坐标系中的坐标；根据所述缺陷标记的坐标，在所述第一坐标系的芯片地图上标记缺陷芯片，所述缺陷芯片与晶背缺陷对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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