[发明专利]一种硅片制绒方法有效
| 申请号： | 201310746508.1 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103904157A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑兰花;李国民;卢海江;程四兴 | 申请（专利权）人： | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅片制绒方法，该方法包括：1）硅片预清洗；2）硅片表面掺杂；3）湿法化学腐蚀法制绒；4）清洗并甩干。与现有技术相比，本发明所制得的绒面结构细小而均匀、反射率低，而且操作简单、适合大规模生产、电池转换效率高，在太阳能电池领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片制绒方法，其特征是：将硅片预清洗，然后在扩散炉进行表面掺杂；进一步将所得硅片进行湿法化学腐蚀法制绒；之后清洗硅片表面残余的制绒腐蚀液，最后清洗并甩干，即可得绒面结构硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
