[发明专利]一种激光刻蚀制绒工艺在审
申请号: | 201310748064.5 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103715305A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 | 申请(专利权)人: | 秦广飞 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/268 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 274300 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及晶硅太阳能电池的制绒领域,特别涉及一种激光刻蚀制绒工艺。一种激光刻蚀制绒工艺,采用激光镭射机,具体的工艺过程为:(1)在激光镭射机的控制电脑上输入形状为圆锥体的刻蚀图形;(2)设定激光源与铅垂线成固定夹角a,激光源围绕激光镭射机中间的支柱自转刻蚀出圆锥形凹坑;(3)激光在整个硅片表面记性刻蚀,最终形成蜂窝状的圆锥体凹坑。本发明的有益效果是:该发明激光刻蚀制绒工艺,可以刻蚀出蜂窝状的圆锥体凹坑,该种类型的刻蚀图形可反射率降至6%左右。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】:
一种激光刻蚀制绒工艺,采用激光镭射机,具体的工艺过程为:(1)在激光镭射机的控制电脑上输入形状为圆锥体的刻蚀图形;(2)设定激光源(1)与铅垂线(3)成固定夹角a,激光源(1)围绕激光镭射机中间的支柱(2)自转刻蚀出圆锥形凹坑;(3)激光在整个硅片表面记性刻蚀,最终形成蜂窝状的圆锥体凹坑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的