[发明专利]一种举升装置、反应腔室及等离子体加工设备在审
| 申请号： | 201310749800.9 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752303A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种举升装置、反应腔室及等离子体加工设备，其包括顶针驱动机构和至少三个顶针，至少三个顶针与顶针驱动机构连接，用于在顶针驱动机构的驱动下作升降运动，顶针包括上部和下部，且顶针下部的水平截面直径大于顶针上部的水平截面直径。本发明提供的上述举升装置的顶针的下部具有较大的水平截面直径，可以使举升装置的结构强度增强，使其在安装及工艺过程中不易断裂，并且易于加工，从而降低举升装置的制造成本；其顶针的上部具有较小的水平截面直径，可以使与其相配合的静电卡盘上的通孔的上部的孔径相应减小，从而在静电卡盘对晶片进行加热、冷却等处理的过程中，减小通孔对工艺均匀性所造成的影响，提高工艺的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装置 反应 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种举升装置，包括顶针驱动机构和至少三个顶针，所述至少三个顶针与所述顶针驱动机构连接，用于在所述顶针驱动机构的驱动下作升降运动，其特征在于，所述顶针包括上部和下部，且所述顶针下部的水平截面直径大于所述顶针上部的水平截面直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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