[发明专利]氧化物薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 201310750079.5 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103715268A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李红敏;李小和;董职福;张晓洁;薛伟 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示装置，通过在所述氧化物薄膜晶体管中引入与IGZO有源层接触的IGZO接触层提升薄膜晶体管的开态电流，引入与IGZO有源层接触的IGZO绝缘层或者采用IGZO绝缘层作为栅极绝缘层和蚀刻阻挡层来减小薄膜晶体管的关态电流，来提升薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，从而显著提高显示装置的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板；栅极，形成在所述基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极上；氧化物有源层，形成在所述栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层，形成在所述氧化物有源层上，且所述蚀刻阻挡层上具有开口；源/漏电极，形成在所述蚀刻阻挡层上，所述源/漏电极通过接触层、并经由所述蚀刻阻挡层上的所述开口与所述氧化物有源层电连接；其中，所述接触层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述接触层与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述接触层表现为导体特性，所述氧化物有源层表现为半导体特性。
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