[发明专利]铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 201310750340.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103696010A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 代丽;焦珊珊;赵丽丽;李大勇;林家齐;代明;徐超 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00;C30B33/04 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品:由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法:一、混合四种原料;二、采用提拉法生长晶体,得到多畴晶体;三、极化,得到极化后的晶体;四、切割、抛光,得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,抗光损伤性能较高,能够做为激光晶体材料;本发明制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快;这种晶体材料在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 铪镝双 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
铪镝双掺杂铌酸锂晶体,其特征在于它由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成;其中所述LiCO3中的Li与Nb2O5中的Nb的摩尔比为0.946:1,Dy2O3的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的0.5%,HfO2的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的2%~8%。
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