[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310751573.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103943681A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 宋在烈;李浚熙;李惠兰;玄尚镇;姜尚范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括沟槽；所述沟槽内的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进衬底的界面陷阱密度；以及所述界面陷阱密度改进膜上的第一导电类型功函数调整膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括沟槽；所述沟槽内的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进所述衬底的界面陷阱密度；以及所述界面陷阱密度改进膜上的第一导电类型功函数调整膜。
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