[发明专利]调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺有效
| 申请号： | 201310752241.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104746006A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 田立飞;夏威 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，包括如下步骤：将待加工的基片置于基座上；通入第一流量的氩气；沉积步骤；对直流电源施加第一功率并保持第一预设时间；冷却步骤；停止对直流电源施加第一功率并保持第二预设时间；重复沉积步骤和冷却步骤直至达到所需的薄膜厚度。本发明提供的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，通过在制备过程中设置了冷却步骤来调节TiW薄膜的应力，通过调整沉积的第一预设时间和冷却的第二预设时间调节薄膜的应力，这样制得的TiW薄膜的应力可控，并且TiW薄膜的沉积速率和致密度保持基本不变，能够满足半导体集成电路器件的应力需求，提高半导体集成电路的稳定性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 tiw 薄膜 应力 pvd 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：S100：将待加工的基片置于基座上；S200：通入第一流量的氩气；S300：沉积步骤；对直流电源施加第一功率并保持第一预设时间；S400：冷却步骤；停止对直流电源施加功率并保持第二预设时间；S500：重复步骤S300和S400直至达到所需的薄膜厚度。
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