[发明专利]通过替换栅极工艺形成的集成电路中的嵌入式多晶硅电阻器

摘要

本发明涉及一种通过替换栅极工艺形成的集成电路中的嵌入式多晶硅电阻器。本发明涉及一种可在替换栅极高k金属栅极金属氧化物半导体MOS技术工艺流程中形成的集成电路中的嵌入式电阻器结构。通过以下方式向衬底中蚀刻沟槽来形成所述结构：通过移除浅沟槽隔离结构或通过在所要位置处进行硅蚀刻。对虚拟栅极多晶硅层的沉积用多晶硅填充所述沟槽；通过硬掩模层保护电阻器多晶硅部分以免受虚拟栅极多晶硅移除的影响。可在源极／漏极植入期间掺杂所述电阻器多晶硅，且所述电阻器多晶硅可使其接触位置被硅化物包覆而不使金属栅极电极降级。

主权项

1.一种在主体的半导体表面处形成集成电路结构的方法，所述方法包括以下步骤：在所述表面的选定位置处蚀刻沟槽；在所述表面上方形成虚拟栅极电介质层；接着在所述表面上方且向所述沟槽中沉积虚拟栅极多晶硅层；蚀刻所述虚拟栅极多晶硅层的选定部分以在所述表面的选定位置处界定上覆于所述虚拟栅极电介质层上的至少一个虚拟栅极电极，从而在所述蚀刻步骤之后留下所述虚拟栅极多晶硅层的延伸到所述沟槽中的一部分；形成与所述表面的导电性类型相反的导电性类型的源极/漏极区域，所述源极/漏极区域安置于所述虚拟栅极电极的相对侧上；在所述表面的除所述至少一个虚拟栅极电极的所述位置以外的位置处形成第一层间电介质层；移除所述虚拟栅极电极，从而在所述移除步骤之后留下所述虚拟栅极多晶硅层的延伸到所述沟槽中的一部分；整体沉积高k电介质层；接着整体沉积金属栅极层，第一金属栅极层包括金属或金属化合物；及接着对结构进行平面化以从所述第一层间电介质层的顶部表面移除所述金属栅极层。