[发明专利]一种焦炉烘炉工艺

摘要

本发明提供了一种焦炉烘炉工艺。所述工艺包括：在焦炉温度低于800～850℃的情况下，采用在炭化室内燃烧燃气，并通过传热均与加热焦炉砌体；在焦炉温度达到800～850℃的情况下，使用地下室焦炉煤气系统加热，加热时间为10～15天，以使焦炉温度缓慢上升到1000～1070℃，其中，将地下室支管中的煤气压力控制为不小于500Pa，且每接通地下室焦炉煤气系统的煤气7～8min后，关闭地下室焦炉煤气系统的煤气60～70s，然后依次循环接通步骤和关闭步骤。本发明的优点包括：操作简单实用，无成本投入或成本投入低，能有效控制烘炉炉温缓慢升高，避免了间断加热而造成的炉温急剧升降对炉体的损害，能够促进焦炉长寿化。

主权项

一种焦炉烘炉工艺，所述焦炉烘炉工艺包括以下步骤：在焦炉温度低于800～850℃的情况下，采用在炭化室内燃烧燃气或固液燃料作为热源，通过焦炉炉体的传热以及设置在焦炉炉顶的烘炉孔的传热将热量均匀传递到焦炉砌体；在焦炉温度达到800～850℃的情况下，使用地下室焦炉煤气系统加热，其中，在使用地下室焦炉煤气系统进行加热的过程中，将地下室支管中的煤气压力控制为不小于500Pa，并且每接通地下室焦炉煤气系统的煤气7～8min后，关闭地下室焦炉煤气系统的煤气60～70s，然后依次循环所述接通步骤和所述关闭步骤，以控制焦炉温度以17～22℃/天的速率均匀升高，从而使焦炉温度缓慢上升到1000～1070℃。