[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器件有效
| 申请号： | 201310753220.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103730512A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹;崔仁哲;崔星花 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器件，该薄膜晶体管包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，所述有源层包括：被所述刻蚀阻挡层覆盖的覆盖部和未被所述刻蚀阻挡层覆盖的、位于所述源电极和漏电极区域的接触部，位于所述源电极区域和/或漏电极区域的接触部包括在所述刻蚀阻挡层的纵向方向上的侧翼部。本发明可以减小刻蚀阻挡层结构的薄膜晶体管的沟道长度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，其特征在于：所述有源层包括：被所述刻蚀阻挡层覆盖的覆盖部和未被所述刻蚀阻挡层覆盖的、位于所述源电极和漏电极区域的接触部，位于所述源电极区域和/或漏电极区域的接触部包括从所述刻蚀阻挡层的纵向方向上延伸出的侧翼部。
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