[发明专利]硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201310753710.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103736689A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 胡正军;姚嫦娲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片清洗方法，包括提供待清洗硅片，使用纯水对硅片进行预处理，以调整硅片表面温度；使用清洗试剂，对硅片进行清洗。本发明提供的硅片清洗方法，通过使用具有一定温度的纯水对待清洗硅片进行预处理，使硅片表面温度接近或与清洗温度一致，从而提高后续清洗的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供待清洗硅片，使用纯水对硅片进行预处理，以调整硅片表面温度；步骤S02，使用清洗试剂，对硅片进行清洗。
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