[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310754040.0 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104743504A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;张先明;刘庆鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有第一导电层，第一导电层表面具有牺牲层，牺牲层表面具有掩膜层，掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以掩膜层为掩膜，刻蚀牺牲层，直至暴露出第一导电层为止，在牺牲层内形成第一开口和第二开口；在掩膜层表面、第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成导电膜；在导电膜表面形成填充满第一开口和第二开口的介质层；在形成介质层之后，去除掩膜层表面的部分导电膜，以图形化导电膜，在第一开口内形成第一插塞，在第二开口内形成第二插塞，在掩膜层表面形成第二导电层，第二插塞与第二导电层电学断路，第二导电层与第一插塞电连接。所形成的半导体器件性能稳定良好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一导电层，所述第一导电层表面具有牺牲层，所述牺牲层表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述牺牲层，直至暴露出第一导电层为止，在牺牲层内形成第一开口和第二开口；在所述掩膜层表面、第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成导电膜；在所述导电膜表面形成填充满第一开口和第二开口的介质层；在形成介质层之后，去除掩膜层表面的部分导电膜，以图形化所述导电膜，在第一开口内形成第一插塞，在第二开口内形成第二插塞，在掩膜层表面形成第二导电层，所述第二插塞与第二导电层电学断路，所述第二导电层与第一插塞电连接。
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