[发明专利]定向耦合器,尤其是具有高耦合衰减的定向耦合器有效
| 申请号： | 201310757062.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855453B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | A·法克尔迈耶;K·休伯;S·波特 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 郝俊梅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种定向耦合器,尤其是具有高耦合衰减的定向耦合器。本发明涉及一种定向耦合器(10a)，包含第一导电轨(20a)；第二导电轨(22a)；以及导电结构(24a)，所述导电结构包含第一部分区域(28a)，与第一导电轨(20a)靠近第二导电轨(22a)布置相比，所述第一部分区域更靠近第一导电轨(20a)布置，并且所述导电结构包含第二部分区域(30a)，与第一导电轨(20a)靠近第二导电轨(22a)布置相比，所述第二部分区域更靠近第二导电轨(22a)布置。 | ||
| 搜索关键词： | 定向耦合器 尤其是 具有 耦合 衰减 | ||
【主权项】：
一种定向耦合器(10a至10h)，包含：第一导电轨(20a至20h)，第二导电轨(22a至22h)，以及用于耦合第一导电轨与第二导电轨的导电结构(24a至24h)，该导电结构包含第一部分区域(28a至28c)和第二部分区域(30a至30c)，与所述第一导电轨(20a至20h)靠近所述第二导电轨(22a至22h)布置相比，所述第一部分区域更靠近所述第一导电轨(20a至20h)地布置；与所述第一导电轨(20a至20h)靠近所述第二导电轨(22a至22h)布置相比，所述第二部分区域更靠近所述第二导电轨(22a至22h)地布置，并且该导电结构包含连接第一部分区域与第二部分区域的弯曲区域，其中，第一导电轨(20a至20h)、第二导电轨(22a至22h)和导电结构(24a至24h)布置在不同的导电轨层中，其中，所述导电结构(24f2，24g2，24h2)在第一部分区域(28a至28c)中与所述第一导电轨(20f，20g，20h)交叠和/或在第二部分区域(30a至30c)中与所述第二导电轨(22f1，22g，22h)交叠，其中，第一导电轨(20d)至少在定向耦合器的区域中是笔直的并且具有第一宽度(B1)，并且其中，导电结构(22d1至22d3)在第一部分区域(28a至28c)中是笔直的并且具有第二宽度(B2)，并且其中对于在第一部分区域(28a至28c)的中线(210至214)与第一导电轨(20d)的中线(200)之间的第一间距(A1至A3)适用：所述第一间距(A1至A3)至少为所述第一宽度(B1)的一半与所述第二宽度(B2)的一半之差并且最大为所述第一宽度(B1)的一半与所述第二宽度(B2)的一半之和的80％，和/或，其中第二导电轨至少在定向耦合器的区域中是笔直的并且具有第三宽度，并且其中导电结构在第二部分区域中是笔直的并且具有第四宽度，并且其中对于在第二部分区域的中线与第二导电轨的中线之间的第二间距适用：所述第二间距至少为所述第三宽度的一半与所述第四宽度的一半之差并且最大为所述第三宽度的一半与所述第四宽度的一半之和的80％。
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