[发明专利]光刻胶图案修剪方法

摘要

光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。

主权项

1.一种修剪光刻胶图案的方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物形成光刻胶图案，所述化学放大光刻胶组合物包括：包含酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂；和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及有机溶剂；其中以光刻胶修剪组合物的总固体量为基础，光刻胶修剪组合物中所存在的芳香酸的量为0.01到20wt％；所述修剪组合物中的母体聚合物选自聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯吡硌烷酮、聚乙烯胺、聚乙烯醇缩乙醛、聚(甲基)丙烯酸酯及其组合物；并且所述芳香酸包括通式(I)的酸：其中：R¹单独表示取代或未取代的C1‑C20烷基，可选择地包含一个或多个选自羰基、羰氧基、磺酰胺基、醚、硫醚、取代或未取代的亚烷基基团、或者它们的组合的基团；Z¹单独表示选自羧基、羟基、硝基、氰基、C1到C5烷氧基、甲酰和磺酸的基团；a和b是独立的从0到5的整数；a+b为5或者更小(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。