[实用新型]串联ROM单元有效
| 申请号： | 201320000689.9 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN202976856U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 于跃;郑坚斌 | 申请（专利权）人： | 苏州兆芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种串联ROM单元，所述ROM单元至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线和第二位线上，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极分别连接至第一字线和第二字线上，在读取此串联ROM单元所对应的信息时，只需通过第一位线和第二位线就可以直接读取出该信息，这样就实现了4个MOS管共用一个源端VSS，减少了由于工艺规则带来的空间浪费，从而节约了面积。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 rom 单元 | ||
【主权项】：
一种串联ROM单元，其特征在于：至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)，所述第一MOS管(MOS31)的漏极和第二MOS管(MOS32)的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线(BL30)和第二位线(BL31)上，所述第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)的栅极分别连接至第一字线(WL30)和第二字线(WL31)上。
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