[实用新型]一种圆片级三维高密度电容结构有效
| 申请号： | 201320008803.2 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN203071060U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 卞新海;郭洪岩;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种圆片级三维高密度电容结构，属于半导体集成电路制造领域。其包括衬底（100），所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200）和若干个阵列排布的金属凸块（300），所述金属凸块（300）的外围设置绝缘层（400），所述绝缘层（400）上设置金属布线层（500），所述金属布线层（500）的外围填充保护层（600），所述绝缘层（400）、金属布线层（500）和保护层（600）选择性地覆盖在金属凸块（300）的顶端，分别形成金属凸块（300）顶端之上的保护层开口（601）和金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602），分别为电容的连接极Ⅰ和连接极Ⅱ。本实用新型尺寸小、结构简单、工艺流程易于控制，增大了电容密度，增强了使用的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 圆片级 三维 高密度 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种圆片级三维高密度电容结构，包括衬底（100），其特征在于：所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200），在所述钝化层（200）上设置金属凸块（300），所述金属凸块（300）的外围设置绝缘层（400），所述绝缘层（400）上设置金属布线层（500），所述金属布线层（500）的外围填充保护层（600），并在金属凸块（300）的顶端分别形成金属凸块顶端之上的保护层开口（601）和金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602），所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）为电容的连接极Ⅰ，所述金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602）为电容的连接极Ⅱ。
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