[实用新型]一种具有可调键合层的晶圆有效
| 申请号： | 201320016515.1 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN203200011U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 可调 键合层 | ||
【主权项】：
一种具有可调键合层的晶圆，其特征在于：包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度调节层，所述晶圆弯曲度调节层为具有弯曲度的介质薄膜。
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