[实用新型]一种碳化硅晶体生长的坩埚结构有效
| 申请号： | 201320017859.4 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN203096233U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;高宇;段聪;赵梅玉;邓树军 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 102206 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，包括坩埚锅盖及坩埚体，所述坩埚体包括用于晶体生长的第一坩埚壁和用于放置原料的第二坩埚壁和坩埚底结构，所述第一坩埚壁的上端与所述坩埚盖活动连接；所述第一坩埚壁的下端与所述第二坩埚壁的上端可拆卸连接；所述第二坩埚壁下端与坩埚底固定连接；所述第一坩埚壁及坩埚盖内为生长腔，所述第二坩埚壁与所述坩埚底内为原料腔，所述生长腔与所述原料腔相连通。在坩埚体中用于晶体生长区域及用于放置原料区域的坩埚体为分体制成，分别第一坩埚壁和第二坩埚壁及坩埚底构成，该结构可以独立控制晶体生长过程中的温场分布，减少晶体中存在的热应力、异晶型等缺陷，从而大大提高了晶体的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 坩埚 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，包括坩埚锅盖及坩埚体，其特征在于，所述坩埚体包括用于晶体生长的第一坩埚壁和用于放置原料的第二坩埚壁和坩埚底结构，所述第一坩埚壁的上端与所述坩埚盖活动连接；所述第一坩埚壁的下端与所述第二坩埚壁的上端可拆卸连接；所述第二坩埚壁下端与坩埚底固定连接；所述第一坩埚壁及坩埚盖内为生长腔，所述第二坩埚壁与所述坩埚底内为原料腔，所述生长腔与所述原料腔相连通。
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