[实用新型]射频用陶瓷电容器有效
申请号: | 201320039957.8 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN203055681U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 乔金彪 | 申请(专利权)人: | 苏州斯尔特微电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/232 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215153 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种射频用陶瓷电容器,包括氮化铝基片和氧化铝基片,位于同一平面的第一U型导电层、第二U型导电层之间电隔离,所述第一U型导电层、第二U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极;所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内;两个第一金属柱依次贯通所述氮化铝基片、第一U型导电层和氧化铝基片,两个第二金属柱依次贯通所述氮化铝基片、第二U型导电层和氧化铝基片。本实用新型射频用陶瓷电容器减小器件体积时增加了电容量,从而有利于器件小型化,提高了产品的可靠性和良率;且便于陶瓷电容器机械加工。 | ||
搜索关键词: | 射频 陶瓷 电容器 | ||
【主权项】:
一种射频用陶瓷电容器,其特征在于:包括氮化铝基片(1)和氧化铝基片(2),此氮化铝基片(1)和氧化铝基片(2)之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层(3)、第二U型导电层(4),此第一U型导电层(3)和第二U型导电层(4)之间电隔离,所述第一U型导电层(3)、第二U型导电层(4)均包括两个侧电极(5)和连接两个侧电极(5)底端的底电极(6);所述第一U型导电层(3)的一个侧电极(5)嵌入由第二U型导电层(4)的侧电极(5)和底电极(6)形成的凹槽区(7)内;两个第一金属柱(8)依次贯通所述氮化铝基片(1)、第一U型导电层(3)和氧化铝基片(2),两个第二金属柱(9)依次贯通所述氮化铝基片(1)、第二U型导电层(4)和氧化铝基片(2);所述氮化铝基片(1)表面上并位于第一金属柱(8)、第二金属柱(9)一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片(10),所述氧化铝基片(2)表面上并位于第一金属柱(8)、第二金属柱(9)另一端贴覆有用于与电路板电接触的金属贴片(10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州斯尔特微电子有限公司,未经苏州斯尔特微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320039957.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。