[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效
申请号: | 201320044760.3 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN203054409U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了阵列基板及液晶显示装置,阵列基板包括一基板,基板上的每个像素单元包括TFT开关和像素电极,TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层;像素电极、栅电极线、数据线、源电极和漏电极同步形成于基板上;源电极与数据线连接;漏电极的部分区域形成于像素电极之上,该区域与像素电极连接;半导体层形成于源电极和漏电极之间,并与源电极和漏电极连接;半导体层上方形成有栅极绝缘层,栅极绝缘层覆盖基板;栅电极形成于栅极绝缘层之上,栅电极通过过孔与栅电极线连接。该阵列基板具有同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极以及一次沉积和刻蚀形成的绝缘层,工艺可控性和良品率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括一基板,所述基板上形成有纵横交叉的栅电极线、数据线和像素单元,每个所述像素单元包括薄膜场效应晶体管TFT开关和像素电极,所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层;其特征在于: 所述像素电极、栅电极线、数据线、源电极和漏电极同步形成于所述基板上;所述源电极与所述数据线连接;所述漏电极的部分区域形成于所述像素电极之上,该区域与所述像素电极连接;所述半导体层形成于所述源电极和所述漏电极之间,并与所述源电极和所述漏电极连接;所述半导体层上方形成有栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述基板;所述栅电极形成于所述栅极绝缘层之上,所述栅电极通过贯穿所述栅极绝缘层的过孔与所述栅电极线连接。
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