[实用新型]基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路有效
| 申请号： | 201320072210.2 | 申请日： | 2013-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN203242917U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 卢元达;刘克富;邱剑;王宝杰;张田 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体激光器技术领域，具体为一种基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光器驱动电路。其组成包括：外置的高压可调直流电源，由激光二极管、储能电容器、雪崩晶体管组成的充放电回路，可编程延时器，雪崩晶体管驱动电路；充放电回路中，雪崩晶体管的发射极通过取样电阻接地，集电极连接储能电容器，储能电容器另一端连接激光二极管负极，激光二极管正极接地；本实用新型采用电容经过雪崩管快速对激光二极管放电的方式产生快的驱动电流得到快的光脉冲，脉冲电流上升沿小于5ns，脉宽20ns至1us，峰值10A至100A连续可调。在电路中包含精密延时器件，适用于需要精确同步的多路触发装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 雪崩 晶体管 半导体激光器 脉冲 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种基于雪崩晶体管的半导体激光器脉冲驱动电路，其特征在于组成包括：外置的高压可调直流电源（1），由激光二极管（5）、储能电容器（4）、雪崩晶体管（3）组成的充放电回路（2），可编程延时器（7），雪崩晶体管驱动电路（8）；所述充放电回路（2）中，雪崩晶体管（3）的发射极通过取样电阻接地，集电极连接储能电容器（4），储能电容器（4）另一端连接激光二极管（5）负极，激光二极管（5）正极接地；高压可调直流电源（1）与充放电回路（2）连接；可编程延时器（7）与雪崩晶体管驱动电路（8）连接，雪崩晶体管驱动电路（8）与充放电回路（2）中的雪崩晶体管（3）连接；其中：可编程延时器（7）通过驱动板上脉冲输入端子（6）输入触发脉冲，可编程延时器（7）通过内部产生精密锯齿波，实现25ns到6.25us的精确延时，雪崩晶体管驱动电路（8）为雪崩晶体管（3）提供发生雪崩所需的冲击电流，所述激光二极管（5）采用储能电容器（4）经雪崩晶体管（3）直接实现放电驱动。
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