[实用新型]太阳能电池元件有效
申请号: | 201320092632.6 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN203150568U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 梅田耕太郎;伊藤宪和;水元章裕 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂宁乐;浦柏明 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种高精度形成电极的太阳能电池元件。太阳能电池元件具有:半导体基板,其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及该掺杂浓度比第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域;防反射膜,其配置于一主面的第一浓度区域上;电极,其配置于一主面的第二浓度区域上。并且,在该太阳能电池元件中,在半导体基板的表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部,该两处以上的定位基准部的一主面的第一表面粗糙度比定位基准部以外的一主面的第二表面粗糙度大。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池元件,具有:半导体基板,其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及所述掺杂浓度比所述第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域;防反射膜,其配置于所述一主面的所述第一浓度区域上;电极,其配置于所述一主面的所述第二浓度区域上,在所述半导体基板的所述表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部,该两处以上的定位基准部的所述一主面的第一表面粗糙度比所述定位基准部以外的所述一主面的第二表面粗糙度大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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