[实用新型]太阳能电池元件有效

专利信息
申请号: 201320092632.6 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN203150568U 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 梅田耕太郎;伊藤宪和;水元章裕 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂宁乐;浦柏明
地址: 日本国京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实用新型提供一种高精度形成电极的太阳能电池元件。太阳能电池元件具有:半导体基板,其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及该掺杂浓度比第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域;防反射膜,其配置于一主面的第一浓度区域上;电极,其配置于一主面的第二浓度区域上。并且,在该太阳能电池元件中,在半导体基板的表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部,该两处以上的定位基准部的一主面的第一表面粗糙度比定位基准部以外的一主面的第二表面粗糙度大。
搜索关键词: 太阳能电池 元件
【主权项】:
一种太阳能电池元件,具有:半导体基板,其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及所述掺杂浓度比所述第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域;防反射膜,其配置于所述一主面的所述第一浓度区域上;电极,其配置于所述一主面的所述第二浓度区域上,在所述半导体基板的所述表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部,该两处以上的定位基准部的所述一主面的第一表面粗糙度比所述定位基准部以外的所述一主面的第二表面粗糙度大。
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