[实用新型]一种直列多靶磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201320097577.X | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN203065570U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;林庆浩;邱栋;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种直列多靶磁控溅射镀膜装置，涉及溅射镀膜技术领域。系采用长宽比大于3的矩形溅射靶，在箱式真空室中，将3个以上的矩形溅射靶平行共轴排成一列，所有靶的宽度方向都平行于真空室的长边，靶间距小于矩形靶宽度的2倍。矩形溅射靶上方设置有直线运动结构，基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上，并在步进电机的驱动下沿真空室的长边作直线往复运动，直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置，从而实现单层、多层、周期性重复结构薄膜的制备。该多靶磁控溅射台具有真空室尺寸和靶的尺寸都较小，而所制备的薄膜的均匀面积较大的特点，并且还兼有抽气速度快、镀膜效率高等其他优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直列多靶 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种直列多靶磁控溅射镀膜装置，包括1个真空室，真空室内设置有n个矩形溅射靶（3）、1个基片架、1个基片加热器、1个直线运动机构，真空室外具有1个步进电机；其特征在于，所述真空室为箱式真空室，n个矩形溅射靶相互平行并共轴排成一列，靶间距小于矩形靶宽度的2倍，所有矩形溅射靶的宽度方向都平行于真空室的长边；矩形溅射靶上方设置有一个直线运动结构，基片架和基片加热器固定于直线运动机构之上，并在步进电机的驱动下能够沿真空室的长边作直线往复运动，直线往复运动的起始点、终止点和运动速度由一个控制器进行编程设置，其最大行程覆盖了所有矩形溅射靶。
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