[实用新型]发光元件

摘要

本实用新型涉及一种发光元件，该发光元件包括：一基板；一U型氮化镓层（U-GaN），位于基板上；一N型氮化镓层（N-GaN），位于U型氮化镓层（U-GaN）上；多层量子井（MQWS），位于N型氮化镓层（N-GaN）上方；P型氮化镓层（P-GaN），位于多层量子井（MQWS）上方，再依序结合透明导电层及反射层，再用绝缘层将透明导电层及反射层、P型氮化镓层（P-GaN）、多层量子井（MQWS）包覆并至少延伸到N型氮化镓层（N-GaN），并在绝缘层的两旁各设置多个透孔，以与P型氮化镓层（P-GaN）形成P接触电极，与N型氮化镓层（N-GaN）形成N接触电极。使该矩形延伸的发光元件能提高其发光面积，及提升其散热效果，并使芯片的切割达到最佳的利用效能。

主权项

一种发光元件，其包括：一基板，所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层及N型氮化镓层，并在所述N型氮化镓层的预设段落结合有多层量子井，在所述多层量子井上方另结合一P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层上结合有透明导电层及反射层； 其特征在于：一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上，并延伸至所述N型氮化镓层处； 所述绝缘层将所述P型氮化镓层及所述多层量子井作包覆，在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔，在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极，并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极，并通过所述透孔数量的多寡来调整电流；所述N电极经过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层形成一N接触电极，所述P电极经过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层形成一P接触电极。