[实用新型]基于PMOS晶体管的源极跟随器有效
| 申请号： | 201320108592.X | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN203193607U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘松;杨飞琴;吴柯 | 申请（专利权）人： | 香港中国模拟技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;朱海煜 |
| 地址： | 中国香港德辅道中*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种基于PMOS晶体管的源极跟随器，属于源极跟随器技术领域。该源极跟随器包括电流源和用作输入器件的PMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的体端与源极跟随器的输入端（Vin）连接，以至于使N阱NMOS晶体管的源极与体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。该源极跟随器失真小、线性度好，尤其适合于在高速大负载场合应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pmos 晶体管 跟随 | ||
【主权项】：
一种基于PMOS晶体管的源极跟随器，包括电流源和用作输入器件的PMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的栅极被定义为所述源极跟随器的输入端，所述PMOS晶体管的源极被定义为所述源极跟随器的输出端，所述PMOS晶体管的漏极连接接地信号，高电平信号从所述电流源的一端接入，并且所述电流源的另一端输出电流至所述源极；其特征在于，所述PMOS晶体管的体端与所述输入端连接，以至于使所述源极与所述体端之间的电压在输入信号变化的情况下基本保持恒定。
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