[实用新型]光控太赫兹波开关有效
| 申请号： | 201320111593.X | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN203178621U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 洪治;陈涛;刘建军;刘平安 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01P1/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈昱彤 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种光控太赫兹波开关，包括半导体基片、空气层和缺陷层，半导体基片的数量为2n个，n为整数且n≥2；所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层；所述缺陷层由空气构成。本实用新型通过控制照射到与缺陷层最相邻的其中一个半导体基片的朝向缺陷层的表面上的激光的有无，可以实现太赫兹波开关的关闭和打开操作。本实用新型可在较低的控制用激光光功率下实现较高的开关消光比，可满足在太赫兹波成像、太赫兹波光谱测试和太赫兹波通信等领域应用的要求，也可作为太赫兹波调制器使用。 | ||
| 搜索关键词： | 光控 赫兹 开关 | ||
【主权项】：
一种光控太赫兹波开关，其特征在于：包括半导体基片、空气层和缺陷层，半导体基片的数量为2n个，n为整数且n≥2；所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层；所述缺陷层由空气构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量学院，未经中国计量学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320111593.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改善串联半桥谐振调光闪烁问题的电路
- 下一篇：具有冷却功能的中频加热线圈
