[实用新型]半导体器件和集成降压转换器有效
| 申请号： | 201320118095.8 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203398118U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;W.里格;M.罗施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，包含：漂移层（4）；在所述漂移层(4)上的体区(7)；在所述体区(7)上的源区(8)；沟槽，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中；沟槽中的场板（13）和电极（12）；将场板（13）和电极（12）彼此分开的绝缘结构（16）。其中，场板（13）的顶面和电极（12）的底面其中至少一个是平坦的。本实用新型还提供一种集成降压转换器，其包括以上提到的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成 降压 转换器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含： 漂移层（4）；在所述漂移层(4)上的体区(7)；在所述体区(7)上的源区(8)；沟槽，其贯穿所述源区(8)、体区(7)并且延伸到所述漂移层(4)中；沟槽中的场板（13）和电极（12）；将场板（13）和电极（12）彼此分开的绝缘结构（16），其中，场板（13）的顶面和电极（12）的底面其中至少一个是平坦的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320118095.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方便焊带焊接的太阳能电池电极
- 下一篇：应力控制的HEMT
- 同类专利
- 专利分类
