[实用新型]半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件有效
| 申请号： | 201320118252.5 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203242628U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | M.维莱迈耶;O.布兰克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L27/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件。一种半导体部件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极。所述半导体部件还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。在这种情况下，栅电极的截面积与现有技术相比被增大，从而降低了栅极电阻并由此降低了半导体部件的总导通电阻，改善了半导体部件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 垂直 mosfet igbt 结构 集成 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体部件，该半导体部件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极，其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。
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