[实用新型]一种基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器有效

专利信息
申请号: 201320137751.9 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN203218415U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 章秀银;代鑫;蔡泽煜;胡斌杰 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开一种基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器,包括两个四分之一波长谐振器,金属地板和一对馈电结构。谐振器和馈电贴片分布在四层导体层上。第一层是有大块馈电贴片和CPW馈电口的馈电层,第二层和第四层分布两个四分之一波长谐振器,第三层是接地层。馈电贴片采用宽边耦合的方式将能量传输到谐振器上。谐振器之间通过边耦合传输能量,两个谐振器之间同时存在磁耦合和电耦合,距离接地端较近区间的耦合以磁耦合为主,谐振器的开路端附近区间的耦合以电耦合为主,调节磁耦合及电耦合的强度可以方便地调节滤波器传输零点的位置。本实用新型具有多传输零点,选择性和阻带抑制性能优良,结构紧凑。
搜索关键词: 一种 基于 磁电 耦合 抵消 技术 宽阻带 ltcc 带通滤波器
【主权项】:
基于磁电耦合抵消技术的宽阻带LTCC带通滤波器,其特征在于包括四层介质基板和四层导体层,四层介质基板从上到下依次为第一介质板(1)、第二介质板(2)、第三介质板(3)和第四介质板(4),所述的四层介质基板均为LTCC陶瓷介质基板;所述第一导体层印制于第一介质基板(1)上表面,第二导体层印制于第二介质基板(2)上表面,第三导体层印制于第三介质基板(3)上表面,第四导体层印制于第四介质基板(4)上表面。
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