[实用新型]尾气处理装置有效
| 申请号： | 201320145743.9 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN203179849U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 马彪;张卫民 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种尾气处理装置，包括：加热腔室、储水罐、连接管、水处理腔室和进气管，所述进气管、水处理腔室和所述储水罐从上至下依次密封连接，所述水处理腔室的侧部通过所述连接管与所述加热腔室的底部密封连接，所述水处理腔室的直径大于所述进气管的直径，所述水处理腔室上开设至少一个向上或斜向上喷射的喷水口和至少一个向下或斜向下喷射的喷水口。通过在所述水处理腔室上开设至少一个向上或斜向上喷射的喷水口和至少一个向下或斜向下喷射的喷水口，既可以对水处理腔室进行全面清洗，从而防止水处理腔室发生堵塞，确保机台正常运行，以提高生产效率；又可以使得水处理腔室充满水汽，既能够使得水汽和未处理的尾气充分混合。 | ||
| 搜索关键词： | 尾气 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种尾气处理装置，其特征在于，包括：加热腔室、储水罐、连接管、水处理腔室和进气管，所述进气管、水处理腔室和所述储水罐从上至下依次密封连接，所述水处理腔室的侧部通过所述连接管与所述加热腔室的底部密封连接，所述水处理腔室的直径大于所述进气管的直径，所述水处理腔室上开设至少一个向上或斜向上喷射的喷水口和至少一个向下或斜向下喷射的喷水口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320145743.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：四方扁平无引脚的封装单元及导线架
- 下一篇：荧光灯芯柱机排气管打点夹片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
