[实用新型]静电保护电路及其电池保护电路有效
| 申请号： | 201320156659.7 | 申请日： | 2013-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN203277382U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王钊;尹航 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H7/18;H02H9/04 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种静电保护电路及其电池保护电路，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，位于所述P型衬底和所述N阱上的栅氧层，位于所述栅氧层上的栅极，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区，第一P+有源区、第一N+有源区和栅极与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端相连。该静电保护器件耐压高，同时静电泄放能力较强。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 及其 电池 | ||
【主权项】：
一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，位于所述P型衬底和所述N阱上的栅氧层，位于所述栅氧层上的栅极，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区， 其中，所述第一P+有源区和第一N+有源区相互间隔，且第一N+有源区紧邻所述栅氧层，所述第二P+有源区和第二N+有源区相互间隔，且所述第二P+有源区较第二N+有源区更接近所述栅氧层，N+有源区的N型掺杂浓度较N阱的N型掺杂浓度高， 第一P+有源区、第一N+有源区和栅极与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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