[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 201320165620.1 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN203367285U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种IGBT芯片，包括衬底、位于衬底正面之上的铜金属化结构，所述铜金属化结构包括栅极电极和发射极电极，还包括，位于所述栅极电极下方的衬底内的P+掺杂区。该P+掺杂区可以保护芯片在反向耐压时的栅极，即防止在反向耐压时栅极下方的半导体材料被耗尽，而使电场穿透至多晶硅层，提高芯片了的耐压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片，包括衬底、位于衬底正面之上的铜金属化结构，所述铜金属化结构包括栅极电极和发射极电极，其特征在于，还包括，位于所述栅极电极下方的衬底内的P+掺杂区。
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