[实用新型]集成电路芯片封装结构有效
申请号: | 201320167283.X | 申请日: | 2013-04-07 |
公开(公告)号: | CN203351599U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 吴伟峰;罗立辉;马明智 | 申请(专利权)人: | 宁波芯健半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 徐关寿;赵芳 |
地址: | 315327 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 集成电路芯片封装结构,包括第一玻璃层,还包括芯片,围绕芯片的光学图像传感元件设有若干焊垫;芯片的背面开设有与焊垫相对应的开口,该芯片背面还设有一层绝缘层且该绝缘层,焊垫设有切割道;在绝缘层外溅射有沉积层,沉积层与焊垫具有切割道的面相接触,沉积层经光刻后形成电路且在该沉积层还电镀有一层电镀铜层,电镀铜层经过光刻后形成电路;在开口内填充有绝缘材料;在电镀铜层及绝缘材料外还设有一层光敏性阻焊油墨,光敏性阻焊油墨上设有锡球开口,锡球开口内焊有锡球。采用本实用新型结构,可以实现首先沉积好沉积层,然后进行光刻初步形成线路,再次电镀Cu,最后再光刻形成线路的工艺,可克服现有工艺中存在的问题。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
集成电路芯片封装结构,包括第一玻璃层,所述第一玻璃层的背面设有腔壁;还包括芯片,所述芯片的正面具有光学图像传感元件,围绕所述的光学图像传感元件设有若干焊垫,所述的焊垫与所述的腔壁对应并与所述的腔壁压合;其特征在于:所述芯片的背面开设有与所述的焊垫相对应的开口,该芯片的背面还设有一层绝缘层且该绝缘层不覆盖所述开口处的焊垫,所述的焊垫设有切割道;在所述绝缘层外溅射有沉积层,所述的沉积层与所述焊垫的具有切割道的面相接触,所述的沉积层经光刻后形成电路且在该沉积层还电镀有一层电镀铜层,所述的电镀铜层经过光刻后形成电路;在所述的开口内填充有绝缘材料;在所述的电镀铜层及绝缘材料外还设有一层光敏性阻焊油墨,所述的光敏性阻焊油墨上设有锡球开口,所述的锡球开口内焊有锡球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波芯健半导体有限公司,未经宁波芯健半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320167283.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的