[实用新型]一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器有效
申请号: | 201320168870.0 | 申请日: | 2013-04-07 |
公开(公告)号: | CN203287146U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 梁怀喜 | 申请(专利权)人: | 梁怀喜 |
主分类号: | G01L13/02 | 分类号: | G01L13/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200011 上海市黄*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器。通过提供一种简单、可靠的用于抽真空充灌充液及传递压力的高低压腔路径的实现方法,特别是低压侧压力通过传压焊接块与高压基座、低压基座及过载保护膜片的整体焊接,实现了低压侧压力跨越过载保护膜片左右两侧的传压功能,从而使低压侧压力能最终到达硅压力敏感芯片的负压侧,做到了隔离膜片、灌充液、过载保护膜片及基座的连动作用,使较大的单向过载压力仅能作用于传感器基座之上,并不能传递作用于硅压力敏感芯片之上,从而使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护功能,并提高了硅差压传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 单向 压力 过载 保护 功能 硅差压 传感器 | ||
【主权项】:
一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器,有用于抽真空充灌充液及传递压力的高压腔路径和低压腔路径,其特征是:高压腔路径由高压基座(1)、高压侧隔离膜片(3)、高压侧灌充液(5)、过载保护膜片(7)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成,高压侧灌充液(5)位于高压腔路径之中,低压腔路径由低压基座(2)、低压侧隔离膜片(4)、低压侧灌充液(6)、过载保护膜片(7)、传压焊接块(12)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成,低压侧灌充液(6)位于低压腔路径之中,高低压侧的隔离膜片、高低压侧的灌充液、过载保护膜片及高低压基座的连动作用,实现了硅差压传感器的单向压力过载保护。
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