[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201320178233.1 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN203179898U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜晶体管显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将有源层和栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。采用本实用新型技术方案，由于第一组保护层对栅电极金属层和有源层隔离开，因此，避免了铜扩散污染有源层，大大提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将所述有源层和所述栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。
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