[实用新型]一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器有效

专利信息
申请号: 201320181227.1 申请日: 2013-04-12
公开(公告)号: CN203243230U 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 尤江峰 申请(专利权)人: 保定优科电气科技有限责任公司
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 071000 河北省保定市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型涉及高压电机调速技术领域,具体涉及一种可在逆变颠覆时防止斩波IGBT损坏的高压转子变频器。其特点是包括整流桥单元10,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30,电容器50,保护二极管70和晶闸管单元80,第一电抗器单元20串接设置在整流桥单元10正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极之间,逆止二极管40串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极和电容器50之间,第二电抗器单元60串接设置在电容器50和保护二极管70阴极之间。其通过采用对IGBT保护的方法来防止IGBT内部集成二极管损坏。在原有转子变频器基础上加装保护二极管已达到对IGBT的有效保护,其基本不改变设备原体积和内部器件布局,结构简单可靠,造价低廉,容易实现。
搜索关键词: 一种 颠覆 防止 斩波器 损坏 高压 转子 变频器
【主权项】:
一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器,其特征是包括整流桥单元,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元,电容器,保护二极管和晶闸管单元,第一电抗器单元串接设置在整流桥单元正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极之间,逆止二极管串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极和电容器之间,第二电抗器单元串接设置在电容器和保护二极管阴极之间。
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