[实用新型]一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器有效
申请号: | 201320181227.1 | 申请日: | 2013-04-12 |
公开(公告)号: | CN203243230U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 尤江峰 | 申请(专利权)人: | 保定优科电气科技有限责任公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 071000 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型涉及高压电机调速技术领域,具体涉及一种可在逆变颠覆时防止斩波IGBT损坏的高压转子变频器。其特点是包括整流桥单元10,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30,电容器50,保护二极管70和晶闸管单元80,第一电抗器单元20串接设置在整流桥单元10正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极之间,逆止二极管40串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元30栅极和电容器50之间,第二电抗器单元60串接设置在电容器50和保护二极管70阴极之间。其通过采用对IGBT保护的方法来防止IGBT内部集成二极管损坏。在原有转子变频器基础上加装保护二极管已达到对IGBT的有效保护,其基本不改变设备原体积和内部器件布局,结构简单可靠,造价低廉,容易实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 颠覆 防止 斩波器 损坏 高压 转子 变频器 | ||
【主权项】:
一种逆变颠覆时防止斩波器损坏的高压转子变频器,其特征是包括整流桥单元,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元,电容器,保护二极管和晶闸管单元,第一电抗器单元串接设置在整流桥单元正极和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极之间,逆止二极管串接设置在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)单元栅极和电容器之间,第二电抗器单元串接设置在电容器和保护二极管阴极之间。
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