[实用新型]一种修复违规保持时间的电路结构有效
| 申请号： | 201320203028.6 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN203217573U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李长征 | 申请（专利权）人： | 上海华力创通半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种修复违规保持时间的电路结构，该电路结构包含至少一个时序路径电路，该时序路径电路从寄存器开始，结束于寄存器，两个寄存器之间的矩形区域内设有标准单元高利用率区域，该时序路径电路走线经绕开该标准单元高利用率区域，从而使用线长增加延迟，以实现修复违规保持时间，能够在标准单元高利用率的情况下不提高标准单元高利用率，从而节约芯片面积、减小功耗及更利于时序收敛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 违规 保持 时间 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种修复违规保持时间的电路结构，该电路包含至少一个时序路径电路，该时序路径电路从寄存器开始，结束于寄存器，两个寄存器之间的矩形区域内设有标准单元高利用率区域，该时序路径电路走线经绕开该标准单元高利用率区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力创通半导体有限公司，未经上海华力创通半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320203028.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能型电视整合应用装置
- 下一篇：一种文件修正系统
