[实用新型]一种过流保护芯片有效
| 申请号： | 201320203130.6 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203415573U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 欧新华;杨利君;袁琼;孙志斌;刘宗金;石成 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种过流保护芯片，包括一块作为基区的N型半导体衬底，在N型半导体衬底上部部分区域包括P型渗扩的成对的发射区，在每一块P型渗扩区上部部分区域包括N型渗扩的集电区，集电区表面设置导通孔，构成NPNPN型半导体结构，P型渗扩的成对的发射区在N型半导体衬底的同一侧面上。改变了渗扩区位置，从而实现NPNPN的横向流通，本实用新型比原有技术的过流保护芯片结构体积减小，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 芯片 | ||
【主权项】：
一种过流保护芯片，包括一块作为基区的N型半导体衬底，在N型半导体衬底上部部分区域包括P型渗扩的成对的发射区，在每一块P型渗扩区上部部分区域包括N型渗扩的集电区，集电区表面设置导通孔，构成NPNPN型半导体结构，其特征在于：P型渗扩的成对的发射区在N型半导体衬底的同一侧面上。
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