[实用新型]具有超低功耗的上电复位电路有效
| 申请号： | 201320205882.6 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN203225727U | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 田剑豪 | 申请（专利权）人： | 成都龙腾中远信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有超低功耗的上电复位电路，包括电平检测电路、锁存电路和欠压检测电路，所述电平检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第十一MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管，所述第十一MOS管的源极为电压输入端，所述第十一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一三极管的集电极、所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，本实用新型具有超低功耗的上电复位电路的结构简单、功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功耗 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种具有超低功耗的上电复位电路，其特征在于：包括电平检测电路、锁存电路和欠压检测电路，所述电平检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第十一MOS管、第一三极管、第二三极管和第三三极管，所述第十一MOS管的源极为电压输入端，所述第十一MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一三极管的集电极、所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电阻的第二端、所述第三三极管的基极、所述第一MOS管的漏极和所述第五电阻的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的第一端连接，所述第三三极管的集电极与所述第三电阻的第一端、所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一三极管的发射极与所述第四电阻的第二端、所述第三三极管的发射极、所述第五电阻的第二端和所述第三MOS管的源极连接后接地。
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