[实用新型]铝合金/铬硅夹心肖特基二极管有效
| 申请号： | 201320216403.0 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN203300653U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 包兴坤 | 申请（专利权）人： | 苏州硅智源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，该二极管描述的是一种减少了载流子的注入和减少金属扩散到半导体中的二极管。在肖特基二极管中这些改进是通过在正极的金属层和半导体之间插入由硅铬混合组成的一个层实现的。该层包括一个可以充当防止金属层扩散到半导体的屏障的铬，并且该层同时减少了大量的少数载流子注入到衬底。该层的铬不需要添加光刻掩膜，因为它可以在该层被模式化后使用金属层等离子刻蚀作为掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 夹心 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：该二极管在金属层和半导体之间的接口上有一个整流结，其中该改进的二极管包括形成于预混层的一个层，该层至少由三种元素组成，包括插在金属层和半导体之间的铬、硅和碳，形成了整流结。
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