[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201320220640.4 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN203288596U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；半导体主体，包括：第一基区，具有第一导电类型，源区，具有不同于第一导电类型的第二导电类型，与发射极电接触，并与第一基区形成第一pn-结；至少一个沟槽，其中至少一个沟槽被填充有栅电极，至少一个沟槽具有：第一沟槽部，具有第一宽度；第二沟槽部，具有第二宽度；第二宽度不同于第一宽度；凹槽，形成在半导体主体的表面上且至少部分形成在源区处，发射极的一部分填充凹槽，使得发射极与源区和第一基区接触。通过利用发射极的一部分来填充第一基区中形成的凹槽，根据本公开的绝缘栅双极型晶体管中的寄生晶闸管结构被破坏，从而有效地避免了闩锁效应的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管（20，30），其特征在于，包括：发射极（29，39）；以及半导体主体，其中所述半导体主体包括：第一基区（24，34），具有第一导电类型，源区（25），具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，与所述发射极（29，39）电接触，并与所述第一基区（24，34）形成第一pn‑结；至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽被填充有栅电极（26），其中，所述至少一个沟槽具有：第一沟槽部（261），具有第一宽度；以及第二沟槽部（262），具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及凹槽（G1，G2），形成在所述半导体主体的表面上并且至少部分形成在所述源区（25）处，其中，所述发射极（29，39）的一部分填充所述凹槽（G1，G2），使得所述发射极与所述源区（25）和所述第一基区（24，34）接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320220640.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
