[实用新型]用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统有效
申请号: | 201320234181.5 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN203333759U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 郝立辉;郭爱军 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 055550 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,该气路系统包括管路接口、进气管路、一级分支管路、二级分支管路和均流管路,管路接口连接在进气管路的进气端,进气管路的出气端与一级分支管路位于中部的管段相连通,二级分支管路为两根管路,一级分支管路位于两端的两个出气端分别与两根二级分支管路位于中部的管段相连通,两根二级分支管路的出气端均与均流管路相连通,均流管路上均匀开设有多个均流气孔,均流气孔为螺丝孔,每一个螺丝孔内均安装一颗具有上下贯通的气道的中空螺丝。该气路系统能够控制气路内气体的流量和整体设备镀膜的均匀性,从而控制硅太阳能电池片的膜厚和折射率。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 制造 工段 pecvd 镀膜 系统 | ||
【主权项】:
用于硅太阳能电池制造工段PECVD镀膜的气路系统,该气路系统包括管路接口(1)、进气管路(2)、一级分支管路(4)、二级分支管路(6)和均流管路(7),所述管路接口(1)连接在进气管路(2)的进气端,所述的一级分支管路(4)为一根管路,进气管路(2)的出气端与一级分支管路(4)位于中部的管段相连通,所述的二级分支管路(6)为两根管路,两根二级分支管路(6)并排设置,一级分支管路(4)位于两端的两个出气端分别与两根二级分支管路(6)位于中部的管段相连通,两根二级分支管路(6)的出气端均与所述的均流管路(7)相连通,所述均流管路(7)上均匀开设有多个均流气孔,其特征在于:所述的均流气孔为螺丝孔(9),每一个螺丝孔(9)内均安装一颗具有上下贯通的气道的中空螺丝(10),气体从管路接口(1)进入,最后经中空螺丝(10)的气道后吹扫出来。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的